当箱内系统温度低于设置值时，A、 B两点电位有VA~< Vy。经IC放大，C点输出高电平。BG;和BG:导通，J吸合，加热件RLi开始加热。当箱内系统温度达到设置温度值时，VA≥Vg.IC输出低电平。BG1和BGz出导通转为截止，J 释放，R1停止加热。

以上过程不断反复，把管内系统温度控制在设瓷值附近(控温精度<士1C)。

厌氧培养罐内温度的二次精控

培养罐内温度的二次精控由运放IC1和ICz检测出设定温度和实际温度的电讯号差值，并经运放IC3放大输出差值讯号Vo(见图3)。Vo经V/P变换成脉冲讯号，经光电耦合器耦合后去控制可控硅SCR的导通角。温差讯号Vo越大，V/F变换后的脉冲讯号越密,SCR导通角越大，流经发热件R[:上电流越大，发出热量越大。反之，Vo越小， V/F变